132026-06
工业控制应用领域，随着对效率及体积的更严苛的要求下，传统的全SIIGBT模块也逐渐满足不了需求，比特28C4封装1200V混合SIC模块内部使用高功率密度第七代IGBT芯片，搭配SICSBD芯片，通过优势互补，实现与传统模块的稳定..
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262026-05
比特28新一代1200V系列单管，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，实现优异的可控性..
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